三星工艺技术与解决方案：三星电子是全球先进半导体技术的领导者，宣布了全面的铸造工艺技术路线图，帮助客户设计和制造更快，更节能的芯片。从超大型数据中心到物联网，行业发展智能，永远在线的连接设备的趋势要求消费者以新的和强大的方式获得前所未有的信息。具体来说，三星将在其最新的工艺技术路线图中引领业界领先的8nm，7nm，6nm，5nm，4nm和18nm FD-SOI。三星铸造的先进工艺技术路线图证明了我们客户和生态系统合作伙伴关系的协同性。
2017年工艺技术路线图
三星电子代工业务执行副总裁Jong Shik Yoon表示：“智能连接机器和日常消费者设备的普遍性质表明了下一次工业革命的开始。
“为了在当今快节奏的业务环境中成功竞争，我们的客户需要一个铸造合作伙伴，在高级流程节点上实现全面的路线图，以实现其业务目标和目标。”Yoon补充说。
三星技术路线图2017
三星在三星铸造论坛上推出的最新铸造工艺技术和解决方案包括：
8LPP - 8nm低功耗Plus
8LPP在转变为EUV（极紫外）光刻技术之前提供了最具竞争力的扩展优势。结合三星10nm技术的关键流程创新，8LPP与10LPP相比，在性能和门密度方面提供了额外的优势。
7LPP - 7nm低功耗Plus
7LPP将是第一个使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术。通过三星和ASML的合作，开发了250W最大EUV源功率，这是EUV插入大量生产的最重要的里程碑。 EUV光刻部署将打破摩尔定律扩展的障碍，为单一纳米半导体技术的发展铺平了道路。
6LPP - 6nm低功耗Plus
6LPP将采用三星独特的智能缩放解决方案，该解决方案将被纳入基于EUV的7LPP技术之上，可实现更大面积扩展和超低功耗优势。
5LPP - 5nm低功耗Plus
5LPP通过实施下一代生产4LPP的技术创新，扩展了FinFET结构的物理尺寸限制，以实现更好的缩放和功耗。
4LPP - 4nm低功耗Plus
4LPP将是下一代器件架构 - MBCFETTM结构（Multi Bridge Channel FET）的首个实现。 MBCFETTM是三星独特的GAAFET（Gate All Around FET）技术，它使用Nanosheet器件来克服FinFET架构的物理尺寸和性能限制。
FD-SOI - 绝缘体上完全消耗硅
三星将通过融合RF（射频）和eMRAM（嵌入式磁随机存取存储器）选项，将其28FDS技术逐步扩大到更广泛的平台产品，非常适合物联网（IoT）应用。 18FDS是三星FD-SOI路线图的下一代节点，具有增强的PPA（功率/性能/面积）。
